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简介:HAF系列可以对0 °C 至 50 °C [32 °F 至 122 °F] 的温度范围做出补偿,并且可以在 -20 °C 至 70 °C [-4 °F 至 158 °F] 的温度范围中工作。先进的基于 ASIC 的补偿能够实现数字 (I ...
简介:霍尼韦尔的 PX2 系列重载压力传感器是一系列可配置的压力传感器,采用基于 ASIC(专用集成电路)信号调理的压阻传感技术,并配置不锈钢外壳。PX2 系列利用电路板上的 ASIC 进行全面的校准 ...
HONYWELL霍尼韦尔DPT5000U1-A传感器 DPT系列 空气压差传感器 量程范围: 0——5000 输出信号: 4——20mA 传感器DPT系列空气压差传感器 全不锈钢电容型敏感元件• 良好的温度稳定性和长期稳 ...
HONYWELL霍尼韦尔DPT0500U2-A传感器 DPT系列 空气压差传感器 全不锈钢电容型敏感元件• 良好的温度稳定性和长期稳定性• 电源误接线保护• 翻盖设计方便现场接线和维护 特点规格供电电压(电压 ...
简介:AWM2000 系列微桥气体质量流量传感器是由两个惠斯通桥构成的被动装置。根据操作规范,还需具备发热器控制电路。根据操作规范,还需具备传感桥供电电路。这两种电路不在封装电路板上,因此 ...
简介:霍尼韦尔的 TBP 系列补偿和非放大式基本电路板安装压力传感器,是专门设计的压阻硅压力传感器。该系列传感器具有简单易操作、质量优良、成本效益高、mV 输出、非放大和温度补偿的特点,满 ...
标准玻璃探头。-60°C 至 300°C [-76°F 至 572°F] 121 系列和热敏电阻为抗震、坚固的玻璃密封装置,通常适用于在液体中浸没,并可方便地安装在空气传感器组件中。还包含小型玻璃探针配置(12 ...
简介:HIH-5030/5031 系列低电压湿度传感器可以在低至 2.7 V 直流低电压环境下工作,是通常电压为 3 V 直流电压的电池供电系统的理想之选。5030/5031 补充了我们现有的5 V 直流 SMD (表面贴装 ...
Uni-Curve 热敏电阻,带裸导线和环氧涂层。-60°C 至 150°C [-76°F 至 302°F] 192 系列热敏电阻是高质量、经济型、进行了电阻和温度匹配的可互换装置。该产品不需对电路元件逐一进行电阻温度 ...
非补偿式。低压。mV 输出。绝压、压差、湿/湿差压、表压。DIP、SIP、SMT。线性度和滞后:0.5 % typ. 压力范围 0.5 psi 至 250 psi(SIP、DIP) 1 psi 至 15 psi (SMT) 24PC 系列小型传感器 ...
简介:AWM40000 系列气体质量流量传感器,放大,流量/压力范围:+ 1000 SCCM; 接口类型:岐管。AWM40000系列空气流量传感器是基于证明微桥技术,包括unamplified sensor-only设备和放大信号的设 ...
磁阻数字式位置传感器。塑料螺纹套筒封装。电流沉输出 SR4 系列磁阻数字式位置传感器采用 14 mm 柱形塑料外壳;支持电流沉输出和直流电源 本文介绍了Honeywell/霍尼韦尔 增值封装传感器 SR4 ...
简介:RSC 系列是压阻式硅压力传感器,能够在指定的满量程压力跨度和温度范围内读取数字输出或者模拟输出的压力读数。其通过配备集成 EEPROM 的 24 位模拟数字转换器,对传感器偏移、灵敏度、温 ...
已校准,补偿式。尺寸紧凑。高精度:低至 ±1.5% FSS TEB。低压。绝压或表压。数字输出。 无铅 SMT 压力范围 60 mbar 至 2.5 bar | 6 kPa 至 250 kPa | 1 psi 至 30 psi 描述 MPR 系列 ...
100 Ω 或 1000 Ω 铂电阻温度传感器 (RTD)。-75°C 至 500°C,TFE 特氟隆或带引线的玻璃纤维氧化铝管 HEL-700 系列薄膜铂制 RTD(电阻式温度感测器)旨在监控工业应用中的临界温度。它们提 ...
随温度变化改变电阻。广泛电阻值和温度、封装样式和尺寸。 热敏电阻随温度变化改变电阻。它们不会放大、纠正、极化或生成信号。热敏电阻温度可能因周围温度改变,亦或是电流通过产生的自加热而 ...
honeywell 霍尼韦尔传感器JM1210UD4C2 圆柱形传感器 JSM8系列 电感式接近传感器: 矩形:JPA17 系列、JPA25 系列、JPA30 系列、JPA40 系列 圆柱形:JSM8 系列、JM12 系列、JM18 系列、JM30 系 ...
放大式。As low as ±2 %FSS TEB. 表压和密封表压。304L SS 端口,Haynes 214 合金膜片,塑料体。6 bar 至 550 bar,0 psi 至 8000 psi MLH 系列重载压力传感器将专用集成电路(ASIC)技术与介 ...
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