传感器光电效应介绍

发布时间:2023-8-11 11:08:01|来源: TURCK/图尔克

光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类,而内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。是指在光的照耀下,物体内的电子逸出物体外表而发生光电子发射的现象。依据外光电效应制成的器材有光电管,光电倍增管等。

  而(半导体的)内光电效应是指:光照耀在光敏资料上,资猜中处于价带的电子吸收光子的能量后,通过禁带跃迁至导带,使导带内电子浓度和价带内空穴增多,即激发出电子空穴对,从而使半导体资料的电阻率发生变化或发生光生电动势的现象。

                             

  1.光电导效应。当入射光子射入到半导体外表时,半导体吸收入射的光子发生电子空穴对,使其自身电导率发生变化的现象(光敏电阻、光电二极管、光电三极管)。

  2.光生伏特效应。光照耀引起PN结两端发生电动势(光电池)。

  红限频率:发生光电效应所需照耀光的最低频率叫做红限频率(又称截止频率)。

  逸出功:电子克服原子核的束缚,从资料外表逸出所需的最小能量,称为逸出功。

  爱因斯坦光电效应方程:光子能量=移出一个电子所需的能量(逸出功)+被发射的电子的动能。其数学表达式为:Ek=hν-Wo(其间,Ek 表明逸出的光电子所具有的动能,普朗克常量h=6.626×10ˉ34 J·s,ν 表明入射光的频率,Wo表明逸出功 )。

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