温度对LVDT位移传感器的影响——图尔克

发布时间:2023-3-31 10:06:16|来源: TURCK/图尔克

LVDT位移传感器具有十分高的丈量精度,首要用于运用中的位移与位置的精确丈量,那你们知道温度对LVDT位移传感器具有哪些影响?

                              

  温度改变对输出信号的影响

  温度改变会以两种不同的方式影响LVDT的输出信号,包含机械胀大和LVDT电气特性的改变。机械胀大导致LVDT磁芯和LVDT绕组之间的相对运动。最后的作用是发送一个过错的核心运动信号,导致零迁移过错。温度也可能改变LVDT的初级输入电流或核心资料的磁性,这会影响LVDT的电气特性。这可能导致份额因子改变或跳闸偏移差错。

  温度对LVDT资料的影响

  温度改变对磁功能影响不大LVDT磁芯资料以及在正常工作温度范围内对变压器运转的影响可以忽略不计。为了抵消LVDT资料的热胀大系数的影响,LVDT在结构上从中心到两端对称地延伸。新的制作技能和资料还使LVDT能够在恶劣的环境中运转,包含极点高温文低温。定制LVDT可设计为在高达400°F的温度下运转。通过运用特别制作的资料和线性位移传感器的特别高熔点焊接实现高温额定值。

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