FujiElectric/富士电机 Electric IGBT 分立半导体

发布时间:2024-8-30 12:03:23|来源: 富士电机/Fujielectric

产品介绍说明
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
最大连续集电极电流        50 A

最大集电极-发射极电压        600 V

最大栅极发射极电压        ±20V

最大功率耗散        360 W

封装类型        TO-247

安装类型        通孔

通道类型        N

引脚数目        3

晶体管配置        单

尺寸        15.9 x 5.03 x 20.95mm

公司一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场,衷心希望能与社会各界合作,共创成功,共创辉煌,携手共创美好明天!

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